障壁高さの不均一性を考慮したGaNショットキーI-V-T特性のシミュレーション
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概要
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- 北海道工業大学の論文
- 2001-03-26
著者
-
澤田 孝幸
北海道工業大学
-
今井 和明
北海道工業大学
-
木村 尚仁
北海道工業大学工学部電気電子工学科
-
今井 和明
北海道工業大学創生工学部
-
伊藤 友二
北海道工業大学
-
坪野 功
北海道工業大学応用電子工学科
-
坪野 功
北海道工業大学電気電子工学科
-
伊藤 友二
北海道工業大学応用電子工学専攻
-
木村 尚仁
北海道工業大学創生工学部
-
木村 尚仁
北海道大学電子科学研究所
-
Kimura Naohito
Department Of Applied Electronics Hokkaido Institute Of Technology
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