坪野 功 | 北海道工業大学応用電子工学科
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概要
関連著者
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澤田 孝幸
北海道工業大学
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今井 和明
北海道工業大学
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今井 和明
北海道工業大学創生工学部
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坪野 功
北海道工業大学応用電子工学科
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坪野 功
北海道工業大学電気電子工学科
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木村 尚仁
北海道工業大学工学部電気電子工学科
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木村 尚仁
北海道工業大学創生工学部
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木村 尚仁
北海道大学電子科学研究所
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Kimura Naohito
Department Of Applied Electronics Hokkaido Institute Of Technology
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山形 友二
北海道工業大学
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山形 友二
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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藤原 幸二
北海道工業大学応用電子工学専攻
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佐々木 陽介
北海道工業大学工学研究科応用電子工学専攻
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中村 嘉一
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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斎藤 博
埼玉医大総合医療センター
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鈴木 和彦
北海道工業大学創生工学部
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斎藤 博
国立療養所西多賀病院
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荒磯 恒久
北海道大学電子科学研究所
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荒磯 恒久
北海道大学先端科学技術共同研究センター
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澤田 雅和
北海道工業大学
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伊藤 友二
北海道工業大学
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伊藤 友二
北海道工業大学応用電子工学専攻
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渡邊 和紀
北海道工業大学応用電子工学専攻
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佐々木 政志
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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斎藤 博
岡山理科大学
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齋藤 博
大阪大 大学院医学系研究科 分子病態医学専攻 分子病態内科学
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齋藤 博
岡山理科大学
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松尾 剛美
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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津川 賢介
北海道工業大学応用電子工学専攻
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力弓 豊
北海道工業高等学校
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田古嶋 直樹
北海道工業大学応用電子工学専攻
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荒磯 恒久
北海道大学
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澤田 雅和
北海道工業大学応用電子工学専攻
著作論文
- 時間分解蛍光偏光解消法を用いたLangmuir膜の動的構造解析
- レチノイン酸LB膜の作製条件と電場効果に関する検討
- レチノイン酸LB膜の作製条件と吸収スペクトル特性に関する検討
- 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果II
- 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果
- 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果
- 障壁高さの不均一性を考慮したGaNショットキーI-V-T特性のシミュレーション
- レチナールLB膜への脂質混合による吸光特性の変化
- MBE-ZnSe再成長ホモ界面における電流輸送特性と容量過渡応答解析
- GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性評価
- Zn_1-x Cd_x Se 液晶及びZn_0.85 Cd_0.15 Se/ZnSe 単一量子井戸構造の光学的評価
- 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子の光学的特性 : 波長変換効果
- ZnSe/GaAsヘテロ界面およびZnSe/ZnSe再成長ホモ界面の特性
- MBE-ZnSe/GaAs基板界面およびZnSe再成長ホモ界面の電気的特性評価
- ClドープZnSe_1-x Te_x混晶膜の光学的性質