今井 和明 | 北海道工業大学
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概要
関連著者
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今井 和明
北海道工業大学
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今井 和明
北海道工業大学創生工学部
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澤田 孝幸
北海道工業大学
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木村 尚仁
北海道工業大学創生工学部
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木村 尚仁
北海道工業大学工学部電気電子工学科
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木村 尚仁
北海道大学電子科学研究所
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Kimura Naohito
Department Of Applied Electronics Hokkaido Institute Of Technology
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坪野 功
北海道工業大学応用電子工学科
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坪野 功
北海道工業大学電気電子工学科
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鈴木 和彦
北海道工業大学創生工学部
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山形 友二
北海道工業大学
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山形 友二
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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木村 信行
北海道工業大学総合教育研究部
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矢神 雅規
北海道工業大学
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藤原 幸二
北海道工業大学応用電子工学専攻
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志賀浦 豪一
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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一戸 善弘
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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木村 信行
北海道工業大学創生工学部
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澤田 雅和
北海道工業大学
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高橋 健輔
北海道工業大学
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泉 祐輔
北海道工業大学工学研究科応用電子工学専攻
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泉 祐輔
北海道工業大学
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伊藤 友二
北海道工業大学
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金森 真広
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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伊藤 友二
北海道工業大学応用電子工学専攻
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佐々木 陽介
北海道工業大学工学研究科応用電子工学専攻
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伊勢 京介
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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中村 嘉一
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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力弓 豊
北海道工業高等学校
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福原 朗子
北海道工業大学
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高橋 健輔
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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澤田 雅和
北海道工業大学応用電子工学専攻
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今井 和明[他]
北海道工業大学電気電子工学科
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酒井 士郎
徳島大学工学部
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阿部 寛
北大工
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阿部 寛
北海道大学工学部
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斎藤 博
埼玉医大総合医療センター
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横山 和義
北海道工業大学
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斎藤 博
国立療養所西多賀病院
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鈴木 敏正
日本工業大学
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北守 一隆
北海道工業大学
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高橋 憲司
北海道大学大学院工学研究科
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西谷 健一
北海道工業大学
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高橋 憲司
北海道大学工学部原子工学科
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飯塚 浩一
北海道職業能力開発大
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荒磯 恒久
北海道大学電子科学研究所
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荒磯 恒久
北海道大学先端科学技術共同研究センター
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今井 和明
北大工
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酒井 士郎
徳島大 工
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北守 一隆
北海道工大
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友澤 秀征
京都セミコンダクター
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福原 朗子
北海道工業大学総合教育研究部
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飯塚 浩一
北海道職能開発短大
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吉野 正樹
北海道職能開発短大
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福原 朗子
北海道工業大学空間創造学部
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米田 里志
北海道工業大学
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中川 嘉宏
北海道工業大学電気電子工学科
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沼澤 政信
小樽商科大学商学部社会情報学科
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今井 和明
道工大
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大橋 雅浩
北海道工業大学応用電子工学専攻
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渡邊 和紀
北海道工業大学応用電子工学専攻
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酒井 士郎
徳島大学
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佐々木 政志
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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金聖 祐
日本工業大学
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小林 宏昭
北海道工業大学電気電子工学科
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斎藤 博
岡山理科大学
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齋藤 博
大阪大 大学院医学系研究科 分子病態医学専攻 分子病態内科学
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齋藤 博
岡山理科大学
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前野 秀治
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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刈田 昂
北海道工業大学大学院電気工学専攻
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松尾 剛美
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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津川 賢介
北海道工業大学応用電子工学専攻
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田古嶋 直樹
北海道工業大学応用電子工学専攻
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荒磯 恒久
北海道大学
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米田 里志
北海道工業大学応用電子工学専攻
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矢神 雅規
北海道工業大学創生工学部
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嶋中 大成
グラフテック株式会社
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嶋中 大成[他]
グラフテック株式会社
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澤田 孝幸[他]
北海道工業大学電気電子工学科
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今井 和明
北海道工業大学創生工学部電気デジタルシステム工学科
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鈴木 和彦
北海道工業大学創生工学部電気デジタルシステム工学科
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福原 朗子
北海道工業大学空間創造学部都市環境学科
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伊藤 輝
海道工業大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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中川 嘉宏
北海道工業大学創生工学部電気デジタルシステム工学科
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杉山 俊和
海道工業大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
著作論文
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-でんき モノづくりの時間- : 北海道支部・道工大会場
- 金属/GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性と熱処理の効果
- 71 UNIX教育のためのCD bootable Linuxの作成(教材の開発III,第18セッション)
- GaAs傾斜基板上MBE-ZnTeの深い発光
- MBE-ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果
- ピレンブチル酸LB膜の発光スペクトル測定
- ED2000-96 金属/GaNショットキー界面の電気的評価 : 障壁高さの不均一性の影響
- ZnSeTe混晶のMBE成長と光学的評価
- フタロシアニン・PMMA混合膜の蛍光スペクトル特性
- レチナール・ラングミュア膜の吸収分光特性
- 時間分解蛍光偏光解消法を用いたLangmuir膜の動的構造解析
- P-11 高励起下における超音波の非調和特性(ポスター・セッション)
- VGF法によるIn_xGa_Asの結晶成長
- RF-MBE法によるInN薄膜の成長と評価
- レチノイン酸LB膜の作製条件と電場効果に関する検討
- レチノイン酸LB膜の作製条件と吸収スペクトル特性に関する検討
- 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果II
- 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果
- Al_xGa_N/GaN HFETゲート構造における表面・界面電子特性の評価と制御
- Ni/n-(Al)GaNショットキーの電気的特性 : MBE膜とMOCVD膜の比較
- ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
- レチナールLB膜の蛍光分光特性
- GaN,AlGaNショットキー電流輸送特性と表面酸化の影響
- GaNおよびAlGaNショットキー界面特性の評価と制御 : 表面酸化の影響
- 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果
- 障壁高さの不均一性を考慮したGaNショットキーI-V-T特性のシミュレーション
- レチナールLB膜への脂質混合による吸光特性の変化
- MBE-ZnSe再成長ホモ界面における電流輸送特性と容量過渡応答解析
- GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性評価
- Zn_1-x Cd_x Se 液晶及びZn_0.85 Cd_0.15 Se/ZnSe 単一量子井戸構造の光学的評価
- 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子の光学的特性 : 波長変換効果
- ZnSe/GaAsヘテロ界面およびZnSe/ZnSe再成長ホモ界面の特性
- MBE-ZnSe/GaAs基板界面およびZnSe再成長ホモ界面の電気的特性評価
- ClドープZnSe_1-x Te_x混晶膜の光学的性質
- MBE-Z_nS_e/G_aA_s基板界面特性の評価とその制御
- 二重サブバンド構造をもつZ_nS_e-Z_nT_e超格子の光学的・X線的評価
- 1-218 理科モノづくり教室開催による地域児童への科学技術啓発の取り組み((20)地域貢献・地場産業との連携-II,口頭発表)
- 6-111 理科モノづくり教室開催による地域児童への科学技術啓発の取り組み その2((20)地域貢献・地場産業との連携-II)