金属/GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性と熱処理の効果

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概要

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金属/n-GaN界面およびPCVD-SiO_2, SiN_x/n-GaN界面の電気的特性をI-V, C-V測定により評価した。金属/n-GaN界面では、フェルミ準位はピンニングされておらず、ショットキー障壁高は金属の仕事関数に大きく依存すること、また、酸化膜による汚染など半導体の表面状態にも関係していることが示された。さらに、N_2中における400-500℃の熱処理によって、I-V特性のn値は、むしろ改善されることが示された。絶縁膜/n-GaN界面においては、フェルミ準位はゲート電圧に応じて禁制帯の上部1/3程度の範囲で移動し得ること、また、H_2中における300-500℃の熱処理が界面準位密度の低減に有効であり、最小値として1×10^<11>cm^<-2>eV^<-1>以下が得られることを明らかにした。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-07-22

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