超薄膜ZnSe-ZnTe超格子のフォトルミネッセンス
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-でんき モノづくりの時間- : 北海道支部・道工大会場
- 金属/GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性と熱処理の効果
- 71 UNIX教育のためのCD bootable Linuxの作成(教材の開発III,第18セッション)
- GaAs傾斜基板上MBE-ZnTeの深い発光
- MBE-ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果
- ピレンブチル酸LB膜の発光スペクトル測定
- ED2000-96 金属/GaNショットキー界面の電気的評価 : 障壁高さの不均一性の影響
- ZnSeTe混晶のMBE成長と光学的評価
- フタロシアニン・PMMA混合膜の蛍光スペクトル特性
- レチナール・ラングミュア膜の吸収分光特性
- 時間分解蛍光偏光解消法を用いたLangmuir膜の動的構造解析
- 14a-S-9 InSeにおける格子欠陥のフォトルミネッセンスにおよぼす影響
- VGF法によるIn_xGa_Asの結晶成長
- RF-MBE法によるInN薄膜の成長と評価
- レチノイン酸LB膜の作製条件と電場効果に関する検討
- レチノイン酸LB膜の作製条件と吸収スペクトル特性に関する検討
- 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果II
- 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果
- ZnSe-ZnSe1-xTe[x]超格子のフォトルミネッセンス
- Al_xGa_N/GaN HFETゲート構造における表面・界面電子特性の評価と制御
- Ni/n-(Al)GaNショットキーの電気的特性 : MBE膜とMOCVD膜の比較
- ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
- レチナールLB膜の蛍光分光特性
- GaN,AlGaNショットキー電流輸送特性と表面酸化の影響
- GaNおよびAlGaNショットキー界面特性の評価と制御 : 表面酸化の影響
- 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果
- 障壁高さの不均一性を考慮したGaNショットキーI-V-T特性のシミュレーション
- レチナールLB膜への脂質混合による吸光特性の変化
- MBE-ZnSe再成長ホモ界面における電流輸送特性と容量過渡応答解析
- GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性評価
- Zn_1-x Cd_x Se 液晶及びZn_0.85 Cd_0.15 Se/ZnSe 単一量子井戸構造の光学的評価
- 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子の光学的特性 : 波長変換効果
- ZnSe/GaAsヘテロ界面およびZnSe/ZnSe再成長ホモ界面の特性
- MBE-ZnSe/GaAs基板界面およびZnSe再成長ホモ界面の電気的特性評価
- ClドープZnSe_1-x Te_x混晶膜の光学的性質
- 超薄膜超格子ZnSe-ZnTe/GaAs(100)における青・緑色帯発光の偏光依存性
- MBE-Z_nS_e/G_aA_s基板界面特性の評価とその制御
- ZnSe-ZnTe歪超格子の光学的特性
- 分子線エピタキシ-法により育成したZnSe薄膜の最適結晶成長条件
- レチナール・脂質混合LB膜の分光特性
- 二重サブバンド構造をもつZ_nS_e-Z_nT_e超格子の光学的・X線的評価
- 超薄膜ZnSe-ZnTe超格子のフォトルミネッセンス
- 紫外線光照射下でMBE成長させたZnSe単結晶薄膜の評価
- 分子線エピタキシ-により育成したZnSeのフォトルミネッセンス特性
- 1-218 理科モノづくり教室開催による地域児童への科学技術啓発の取り組み((20)地域貢献・地場産業との連携-II,口頭発表)