MBE-ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The photoluminescence (PL) spectra of ZnSe-ZnTe superlattices with dual-subband structures have two emission peaks. The PL peak at the higher energy side appears under the exposure of light with the middle energy between the PL peaks. The intensity of the up-converted peak indicates the super-linear increase with increasing the excitation intensity. It means that the up-conversion process is different from a usual process. The temperature dependence of the intensity of the up-converted light also shows the peculiarity of the process.
- 2007-03-26
著者
-
木村 信行
北海道工業大学総合教育研究部
-
鈴木 和彦
北海道工業大学創生工学部
-
澤田 孝幸
北海道工業大学
-
今井 和明
北海道工業大学
-
木村 尚仁
北海道工業大学工学部電気電子工学科
-
今井 和明
北海道工業大学創生工学部
-
志賀浦 豪一
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
-
一戸 善弘
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
-
木村 尚仁
北海道工業大学創生工学部
-
木村 尚仁
北海道大学電子科学研究所
-
Kimura Naohito
Department Of Applied Electronics Hokkaido Institute Of Technology
-
木村 信行
北海道工業大学創生工学部
関連論文
- 平成20年度リフレッシュ理科教室開催報告-でんき モノづくりの時間- : 北海道支部・道工大会場
- 16 新入生の数学基礎学力調査と数学基礎教育 : 北海道工業大学での取り組み(教育システムA(講義・演習)IV,第4セッション)
- 金属/GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性と熱処理の効果
- Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 71 UNIX教育のためのCD bootable Linuxの作成(教材の開発III,第18セッション)
- GaAs傾斜基板上MBE-ZnTeの深い発光
- MBE-ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果
- 合成脂質膜形成QCMセンサを用いた味識別手法の検討
- ピレンブチル酸LB膜の発光スペクトル測定
- ED2000-96 金属/GaNショットキー界面の電気的評価 : 障壁高さの不均一性の影響
- ZnSeTe混晶のMBE成長と光学的評価
- 平成19年度リフレッシュ理科教室-北海道支部-開催報告
- ラングミュア膜分子の揺動運動解析
- フタロシアニン・PMMA混合膜の蛍光スペクトル特性
- GF法により成長した放射線検出器用CdTe結晶の評価
- レチナール・ラングミュア膜の吸収分光特性
- 時間分解蛍光偏光解消法によるLB膜分子の揺動運動の測定
- 時間分解蛍光偏光解消法を用いたLangmuir膜の動的構造解析
- 14a-S-9 InSeにおける格子欠陥のフォトルミネッセンスにおよぼす影響
- Characterization and Control of MBE-ZnSe/GaAs(100) Substrate Interface and Regrown ZnSe/ZnSe Homointerface
- 近接昇華法で育成された太陽電池用CdTe薄膜の結晶性の評価
- P-11 高励起下における超音波の非調和特性(ポスター・セッション)
- VGF法によるIn_xGa_Asの結晶成長
- 室温動作型放射線検出器用CdTe:ClとCdZnTeのキャリア輸送特性の比較
- RF-MBE法によるInN薄膜の成長と評価
- レチノイン酸LB膜の作製条件と電場効果に関する検討
- レチノイン酸LB膜の作製条件と吸収スペクトル特性に関する検討
- 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果II
- 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果
- ZnSe-ZnSe1-xTe[x]超格子のフォトルミネッセンス
- Al_xGa_N/GaN HFETゲート構造における表面・界面電子特性の評価と制御
- Ni/n-(Al)GaNショットキーの電気的特性 : MBE膜とMOCVD膜の比較
- ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
- レチナールLB膜の蛍光分光特性
- GaN,AlGaNショットキー電流輸送特性と表面酸化の影響
- GaNおよびAlGaNショットキー界面特性の評価と制御 : 表面酸化の影響
- 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果
- 障壁高さの不均一性を考慮したGaNショットキーI-V-T特性のシミュレーション
- レチナールLB膜への脂質混合による吸光特性の変化
- MBE-ZnSe再成長ホモ界面における電流輸送特性と容量過渡応答解析
- GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性評価
- Zn_1-x Cd_x Se 液晶及びZn_0.85 Cd_0.15 Se/ZnSe 単一量子井戸構造の光学的評価
- 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子の光学的特性 : 波長変換効果
- ZnSe/GaAsヘテロ界面およびZnSe/ZnSe再成長ホモ界面の特性
- MBE-ZnSe/GaAs基板界面およびZnSe再成長ホモ界面の電気的特性評価
- ClドープZnSe_1-x Te_x混晶膜の光学的性質
- 高圧ブリッジマン法で成長した無添加Cd0.91Zn0.09のPL特性
- 超薄膜超格子ZnSe-ZnTe/GaAs(100)における青・緑色帯発光の偏光依存性
- MBE-Z_nS_e/G_aA_s基板界面特性の評価とその制御
- 高抵抗CdZnTe結晶の過渡光電流の解析
- 溶媒法によるCd1-xZnxTe(x≦0.2)の結晶成長
- AlxGa1-xN単層膜およびAlGaN/GaNヘテロ構造のMBE成長と評価
- ピコ秒パルスレーザーを用いたLangmuir膜の動的構造に関する研究
- ZnSe-ZnTe歪超格子の光学的特性
- 分子線エピタキシ-法により育成したZnSe薄膜の最適結晶成長条件
- 複雑なスピン構造もつ遍歴電子磁性体の理論
- 8a-YH-2 複雑な磁気構造を示す遍歴電子磁性体の分子動力学理論IV.Fe-Mn合金への応用
- 29a-L-1 複雑な磁気構造を示す遍歴電子磁性体の分子動力学理論 III
- 複雑な磁気構造を示す遍歴電子磁性体の分子動力学理論 II
- レチナール・脂質混合LB膜の分光特性
- MBE-ZnSe薄膜における熱処理効果
- MBE-ZnTe薄膜の熱処理効果
- ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性2
- 二重サブバンド構造をもつZ_nS_e-Z_nT_e超格子の光学的・X線的評価
- 超薄膜ZnSe-ZnTe超格子のフォトルミネッセンス
- 紫外線光照射下でMBE成長させたZnSe単結晶薄膜の評価
- 分子線エピタキシ-により育成したZnSeのフォトルミネッセンス特性
- 4-106 学習する組織への変革をうながす創造的会話手法の研究((04)工学教育の個性化・活性化-I,口頭発表)
- 5-227 初年次工学教育における物理実験 : 知的好奇心を刺激する((08)リメディアル教育(補習教育)・導入教育-I,口頭発表)
- 1-218 理科モノづくり教室開催による地域児童への科学技術啓発の取り組み((20)地域貢献・地場産業との連携-II,口頭発表)
- 5-108 mbedを用いた太陽電池の特性学習のための教材開発((05)教材の開発-II)
- 6-111 理科モノづくり教室開催による地域児童への科学技術啓発の取り組み その2((20)地域貢献・地場産業との連携-II)
- 4-232 学部学生教育補助者の積極的活用による高大連携教育・物理実験の試み((09)ものつくり教育-V/(07)高大院連携-I)