GaAs傾斜基板上MBE-ZnTeの深い発光

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概要

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• The photoluminescence (PL) profiles in deep region of ZnTe grown on tilted GaAs (001) substrates, 2° off toward <110>, without ZnSe buffer layer have weak self-activated (SA) emissions at about 1.6 to 2.0eV. PL shows the characteristic dependence on the excitation intensity and temperature. The excitation intensity dependence of the PL structure at 2.322eV shows that the emission structure is due to the donor-acceptor pairs (DAP). The temperature dependence of the DAP emission indicates a two-steps thermal quenching process. The zero-phonon line of the phonon replicas of oxygen isoelectronic traps is lowered by 5meV from that of bulk crystal due to the difference of the thermal expansions between ZnTe and substrate. The emissions at around 1.65 eV are the SA emissions related to Te-interstitial atoms.

• 2007-03-26

著者

• 木村 信行

  北海道工業大学総合教育研究部

• 鈴木 和彦

  北海道工業大学創生工学部

• 澤田 孝幸

  北海道工業大学

• 今井 和明

  北海道工業大学

• 木村 尚仁

  北海道工業大学工学部電気電子工学科

• 今井 和明

  北海道工業大学創生工学部

• 志賀浦 豪一

  北海道工業大学大学院応用電子工学専攻

• 一戸 善弘

  北海道工業大学大学院応用電子工学専攻

• 金森 真広

  北海道工業大学大学院応用電子工学専攻

• 木村 尚仁

  北海道工業大学創生工学部

• 木村 尚仁

  北海道大学電子科学研究所

• Kimura Naohito

  Department Of Applied Electronics Hokkaido Institute Of Technology

• 木村 信行

  北海道工業大学創生工学部

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