ZnSeTe混晶のMBE成長と光学的評価
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概要
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The ZnSe : Te alloys with the Te content of below 2 at. %, grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) at the constant growth temperature, have almost the same Te content though the beam flux of Te changes among the growth lots. Since the low beam flux of Te introduces imperfections into the alloy samples, the samples indicate no S1 emission. In the sample that indicates the S1 emission, the carriers at the S1 state activate to the 2.3 eV state with increasing temperture.
- 北海道工業大学の論文
- 2007-03-26
著者
-
木村 信行
北海道工業大学総合教育研究部
-
鈴木 和彦
北海道工業大学創生工学部
-
澤田 孝幸
北海道工業大学
-
今井 和明
北海道工業大学
-
木村 尚仁
北海道工業大学工学部電気電子工学科
-
今井 和明
北海道工業大学創生工学部
-
志賀浦 豪一
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
-
一戸 善弘
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
-
金森 真広
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
-
木村 尚仁
北海道工業大学創生工学部
-
木村 尚仁
北海道大学電子科学研究所
-
Kimura Naohito
Department Of Applied Electronics Hokkaido Institute Of Technology
-
木村 信行
北海道工業大学創生工学部
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