Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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概要

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Ni/i-AlGaN/GaN HFETゲート構造の電気的特性について、表面酸化膜と熱処理の影響を調べた。酸化膜の存在は、実効的ショットキー障壁高さ(SBH)を0.1-0.2eV低下させ、逆方向リーク電流を増大させる。一方、窒素中における熱処理は、SBHの増大とリーク電流の減少に極めて有効である。最適熱処理温度は、Al組成比および酸化膜の有無に依存する。薄い陽極酸化Al_2O_3膜をi-AlGaN上に形成した試料では、リーク電流が10^<-6>A/cm^2まで大幅に減少した。i-AlGaN(x=0.20)/GaNベア試料のHall効果測定から、ウェット酸素中では600℃の熱処理温度でも、2DEGの移動度が大幅に減少することを示した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-10-06

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