澤田 孝幸 | 北海道工業大学
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概要
関連著者
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澤田 孝幸
北海道工業大学
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今井 和明
北海道工業大学
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今井 和明
北海道工業大学創生工学部
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木村 尚仁
北海道工業大学工学部電気電子工学科
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木村 尚仁
北海道工業大学創生工学部
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木村 尚仁
北海道大学電子科学研究所
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Kimura Naohito
Department Of Applied Electronics Hokkaido Institute Of Technology
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坪野 功
北海道工業大学応用電子工学科
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坪野 功
北海道工業大学電気電子工学科
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山形 友二
北海道工業大学
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山形 友二
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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米田 里志
北海道工業大学
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高橋 健輔
北海道工業大学
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高橋 健輔
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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米田 里志
北海道工業大学応用電子工学専攻
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鈴木 和彦
北海道工業大学創生工学部
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鈴木 敏正
日本工業大学
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木村 信行
北海道工業大学総合教育研究部
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金 聖祐
日本工業大学
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藤原 幸二
北海道工業大学応用電子工学専攻
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志賀浦 豪一
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
-
一戸 善弘
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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伊勢 京介
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
-
木村 信行
北海道工業大学創生工学部
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澤田 雅和
北海道工業大学
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泉 祐輔
北海道工業大学工学研究科応用電子工学専攻
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泉 祐輔
北海道工業大学
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伊藤 友二
北海道工業大学
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金森 真広
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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伊藤 友二
北海道工業大学応用電子工学専攻
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佐々木 陽介
北海道工業大学工学研究科応用電子工学専攻
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中村 嘉一
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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澤田 雅和
北海道工業大学応用電子工学専攻
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澤田 孝幸[他]
北海道工業大学電気電子工学科
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酒井 士郎
徳島大学工学部
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斎藤 博
埼玉医大総合医療センター
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斎藤 博
国立療養所西多賀病院
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北守 一隆
北海道工業大学
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飯塚 浩一
北海道職業能力開発大
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荒磯 恒久
北海道大学電子科学研究所
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荒磯 恒久
北海道大学先端科学技術共同研究センター
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酒井 士郎
徳島大 工
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北守 一隆
北海道工大
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友澤 秀征
京都セミコンダクター
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飯塚 浩一
北海道職能開発短大
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吉野 正樹
北海道職能開発短大
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大橋 雅浩
北海道工業大学応用電子工学専攻
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渡邊 和紀
北海道工業大学応用電子工学専攻
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酒井 士郎
徳島大学
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佐々木 政志
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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金聖 祐
日本工業大学
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小林 宏昭
北海道工業大学電気電子工学科
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斎藤 博
岡山理科大学
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齋藤 博
大阪大 大学院医学系研究科 分子病態医学専攻 分子病態内科学
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齋藤 博
岡山理科大学
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前野 秀治
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
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松尾 剛美
北海道工業大学大学院応用電子工学専攻
-
津川 賢介
北海道工業大学応用電子工学専攻
-
力弓 豊
北海道工業高等学校
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田古嶋 直樹
北海道工業大学応用電子工学専攻
-
荒磯 恒久
北海道大学
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今井 和明[他]
北海道工業大学電気電子工学科
著作論文
- 金属/GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性と熱処理の効果
- Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaAs傾斜基板上MBE-ZnTeの深い発光
- MBE-ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果
- ED2000-96 金属/GaNショットキー界面の電気的評価 : 障壁高さの不均一性の影響
- ZnSeTe混晶のMBE成長と光学的評価
- フタロシアニン・PMMA混合膜の蛍光スペクトル特性
- レチナール・ラングミュア膜の吸収分光特性
- 時間分解蛍光偏光解消法を用いたLangmuir膜の動的構造解析
- RF-MBE法によるInN薄膜の成長と評価
- レチノイン酸LB膜の作製条件と電場効果に関する検討
- レチノイン酸LB膜の作製条件と吸収スペクトル特性に関する検討
- 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果II
- 水素処理によるZnSe表面層のクリーニング効果
- Al_xGa_N/GaN HFETゲート構造における表面・界面電子特性の評価と制御
- Ni/n-(Al)GaNショットキーの電気的特性 : MBE膜とMOCVD膜の比較
- ZnSe-ZnTe超格子におけるフォトルミネッセンスの励起光強度依存性
- レチナールLB膜の蛍光分光特性
- GaN,AlGaNショットキー電流輸送特性と表面酸化の影響
- GaNおよびAlGaNショットキー界面特性の評価と制御 : 表面酸化の影響
- 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子による波長変換効果
- 障壁高さの不均一性を考慮したGaNショットキーI-V-T特性のシミュレーション
- レチナールLB膜への脂質混合による吸光特性の変化
- MBE-ZnSe再成長ホモ界面における電流輸送特性と容量過渡応答解析
- GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性評価
- Zn_1-x Cd_x Se 液晶及びZn_0.85 Cd_0.15 Se/ZnSe 単一量子井戸構造の光学的評価
- 二重サブバンド構造ZnSe-ZnTe超格子の光学的特性 : 波長変換効果
- ZnSe/GaAsヘテロ界面およびZnSe/ZnSe再成長ホモ界面の特性
- MBE-ZnSe/GaAs基板界面およびZnSe再成長ホモ界面の電気的特性評価
- ClドープZnSe_1-x Te_x混晶膜の光学的性質
- MBE-Z_nS_e/G_aA_s基板界面特性の評価とその制御
- AlxGa1-xN単層膜およびAlGaN/GaNヘテロ構造のMBE成長と評価