高橋 健輔 | 北海道工業大学大学院応用電子工学専攻

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概要

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関連著者

• 澤田 孝幸

  北海道工業大学

• 高橋 健輔

  北海道工業大学

• 高橋 健輔

  北海道工業大学大学院応用電子工学専攻

• 鈴木 敏正

  日本工業大学

• 金 聖祐

  日本工業大学

• 米田 里志

  北海道工業大学

• 米田 里志

  北海道工業大学応用電子工学専攻

• 今井 和明

  北海道工業大学

• 木村 尚仁

  北海道工業大学工学部電気電子工学科

• 今井 和明

  北海道工業大学創生工学部

• 木村 尚仁

  北海道工業大学創生工学部

• 木村 尚仁

  北海道大学電子科学研究所

• Kimura Naohito

  Department Of Applied Electronics Hokkaido Institute Of Technology

• 伊勢 京介

  北海道工業大学大学院応用電子工学専攻

• 北守 一隆

  北海道工業大学

• 北守 一隆

  北海道工大

• 小林 宏昭

  北海道工業大学電気電子工学科

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著作論文

• Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• RF-MBE法によるInN薄膜の成長と評価
• Al_xGa_N/GaN HFETゲート構造における表面・界面電子特性の評価と制御

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