金 聖祐 | 日本工業大学

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概要

• 同名の論文著者
• 日本工業大学の論文著者

関連著者

• 鈴木 敏正

  日本工業大学

• 金 聖祐

  日本工業大学

• 山田 貴司

  日本工業大学:秩父富士

• 柴田 知己

  日本工業大学

• 芳賀 一弘

  日本工業大学

• 芳賀 一弘

  日本工業大学:秩父富士

• 澤田 孝幸

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• 米田 里志

  北海道工業大学

• 高橋 健輔

  北海道工業大学

• 高橋 健輔

  北海道工業大学大学院応用電子工学専攻

• 米田 里志

  北海道工業大学応用電子工学専攻

• 赤津 政宏

  日本工業大学

• 杉本 哲也

  日本工業大学

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著作論文

• GaN薄膜のアンモニアMBE成長におけるインジェクターの加熱効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOCVD成長GaN薄膜の結晶性の成長圧力依存性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN薄膜のアンモニアMBE成長におけるインジェクターの加熱効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• MOCVD成長GaN薄膜の結晶性の成長圧力依存性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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