GaN薄膜のアンモニアMBE成長におけるインジェクターの加熱効果(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
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概要
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アンモニアMBE法によるGaN薄膜成長におけるインジェクターの加熱効果について検討した。まず,加熱なしのアンモニアインジェクターで,GaAs基板上にGaNAsバッファ層を介してGaN薄膜を成長した。その結果,得られた膜の表面には多数のGaドロップレットが観察された。PL測定の結果,ディープレベルの発光しか見られなかった。次に,加熱タイプのアンモニアインジェクターで同様に成長した。その結果,ヒーター温度を高くするとGaドロップレットが減少した。PL測定の結果,ヒーター温度185℃のとき,380nm付近にピークが見られた。このピークは,立方晶GaNのバンド端のピーク位置と近似していた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
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