MOCVD成長GaN薄膜の結晶性の成長圧力依存性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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MOCVD法によって成長圧力を100Torrから300Torrまで変えて,GaN薄膜を成長させた場合の成長圧力が結晶性に与える影響を調べた。その結果,成長圧力を下げると島の大きさが小さくなり,できる貫通転位が増大し,成長圧力を上げると島の大きさが大きくなり,できる貫通転位が減少することがわかった。また,表面抵抗値は成長圧力に依存している。すなわち,100Torrで作製した試料の表面抵抗値は,300Torのものよりも5桁高くなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
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