GaAs中転位の動的観察と転位操作
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概要
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GaAs中の転位操作の可能性について議論する。試料はUCGAS(Undercut GaAs on Si)構造とホモエピタキシャルプレナーGaAsである。フォトルミネッセンス(PL)像中の暗点(DS)を転位として評価し,外部から温度変化・応力を加えDSの変化を観察した。その結果,針によって試料の表面を押すと,人為的にDSを移動させることができた。次に,2次元有限要素法により針で試料表面を押したときの応力分布を解析した。その結果,試料の厚さが薄ければ応力が深さ方向に均一に分布することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-12-15
著者
-
直井 美貴
徳島大学工学部
-
酒井 士郎
徳島大学工学部
-
酒井 士郎
徳島大 工
-
倉井 聡
徳島大学工学部電気電子工学科
-
新谷 義廣
徳島大学工学部電気電子工学科
-
新谷 義廣
徳島大学工学部
-
新谷 義廣
徳島大学
-
酒井 士郎
徳島大学
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