GaNの電流制御型LPE法による成長
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概要
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液相エピタキシャル(LPE)法によるGaNの結晶成長は、1970年代以降試みられていない。今回我々は電流制御型LPE(LPEE)法を用いて、はじめてサファイア(Al_2O_3)上及びMOCVD法によるGaN on Al_2O_3基板上にGaNの成長を行った。その結果、前者の基板を用いたときはGaNの六角形の結晶が3次元成長し、後者のときは2次元成長した。フォトルミネッセンス、X線回折、走査型電子顕微鏡により結晶の評価を行ったので、その結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-12-15
著者
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