p-GaNショットキー接触のICTS評価
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概要
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高温ICTS測定を低MgドープNi/p-GaNショットキー接触に対して行った。175℃での測定において、60-100秒付近にアクセプター形の大きな単一ピークが観測された。この欠陥のエネルギー準位は約1.1eVと見積もられ、Ga空孔であると推測される。また、この準位は金属-半導体界面近傍に局在することも判明した。漏れ電流が時間と共に大きく変化する原因がこの準位へのキャリアの放出、捕獲であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-30
著者
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