高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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高バイアス下にあるAlGaN/GaN HEMTについて、顕微エレクトロルミネッセンス(EL)及び顕微フォトルミネッセンス(PL)測定を行い、その電子輸送特性を評価した。EL強度の空間分布はチャネル端においてピークを示すこと、及びチャネル端における電子温度はチャネル中心と比較して高いこと、を見いだした。更に、PLスペクトルを無バイアスで昇温状態における測定結果と比較することにより、HEMTの接合温度を求めた。接合温度の空間分布の特徴はELの特徴と対応することが分かった。
- 2002-06-07
著者
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塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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