Ni/p-GaNショットキー接触のメモリー効果
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概要
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低Mgドーピングp-GaN上に形成したNiショットキー接触の電流-電圧特性(I-V)及び、空乏層容量を測定し、電極界面の電流輸送機構を明らかにした。アクセプター形の深い準位が大きな密度で存在するため、キャリアの充放電により、空乏層幅(W_<dep>)が大きく伸び縮する。光照射により準位がイオン化した場合、W_<dep>が小さくなり、トンネルによりリーク電流が多く流れる。順方向バイアス印可により準位が中性化した場合、W_<dep>が十分暑いため、本来の大きな障壁高さが観測された。キャリア放出の時定数は8300分と長く、メモリー効果への応用が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-20
著者
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