C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話(株)
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
-
小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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