InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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InP HBT を用いた分周回路において最高となる150GHz動作を確認した。本分周器には高速化を追求するためクロックッドインバータ型トグルフリップフロップにフィードファワード技術を適用したダイナミック型の回路構成を採用した.本回路はf_T=245GHz、f_<max>=370GHzの超高速InP DHBTプロセス技術を用いて実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-13
著者
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
菅原 裕彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
綱島 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社
-
菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
綱島 聡
NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
井田 実
日本電信電話
-
綱島 聡
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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