菅原 裕彦 | NTTアドバンステクノロジ(株)
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概要
関連著者
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菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
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菅原 裕彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
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佐野 公一
日本電信電話株式会社
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佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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栗島 賢二
日本電信電話
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
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福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
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福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
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井田 実
日本電信電話
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徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
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柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
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北林 博人
日本電信電話(株)環境エネルギー研究所
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山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
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上綱 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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富山 裕之
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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菅原 裕彦
NTTフォトニクス研究所
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佐野 栄一
Jst‐crest
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栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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枚田 明彦
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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木村 俊二
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
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佐野 栄一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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枚田 明彦
日本電信電話(株) Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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綱島 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山根 康朗
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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綱島 聡
NTTフォトニクス研究所
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綱島 聡
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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伊藤 弘
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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枚田 明彦
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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古田 知史
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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佐藤 康博
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
永妻 忠夫
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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伊藤 弘
北里大学自然科学教育センター
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古田 知史
NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
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伊藤 弘
東京大学大学院農学生命科学研究科
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古田 知史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
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絹田 精鎮
株式会社オプトニクス精密
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永妻 忠夫
大阪大学大学院 基礎工学研究科
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徳光 雅美
NTTフォトニクス研究所
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佐藤 康博
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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杉谷 末広
NTTフォトニクス研究所
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佐藤 康博
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
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永妻 忠夫
大阪大学大学院基礎工学研究科:日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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絹田 精鎮
オプトニクス精密(株)
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市野沢 義行
オプトニクス精密(株)
-
市野沢 義行
株式会社オプトニクス精密
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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枚田 明彦
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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古田 知史
Ntt フォトニクス研
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佐藤 康博
日本電信電話株式会社
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佐野 公一
NTTフォトニクス研究所
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都甲 浩芳
日本電信電話株式会社 NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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佐野 栄一
Ntt Lsi研究所
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村口 正弘
東京理科大学
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高橋 宏行
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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平田 道広
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 高知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
都甲 浩芳
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
高橋 宏行
日本電信電話株式会社
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山口 良一
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
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山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
平田 道広
NTTエレクトロニクス
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山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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上綱 秀樹
Nttフォトニクス研究所
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稲田 祐大
東京理科大学
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村田 浩一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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徳光 雅美
NTT LSI研究所
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日向 文明
NTT LSI研究所
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西村 一巳
NTT LSI研究所
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菅原 裕彦
Ntt Lsi研究所
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村口 正弘
NTTフォトニクス研究所
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入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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塩島 謙次
NTT LSI研究所
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村口 正弦
NTTワイヤレスシステム研究所
-
日向 文明
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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榎本 孝知
NTTフォトニクス研究所
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北林 博末
日本電信電話株式会社
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山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
入戸野 巧
NTT LSI研究所
-
村田 浩一
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
Ntt
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村口 正弘
東京理大
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北林 博人
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
著作論文
- ミリ波帯光・電子デバイスとその無線・センシングシステムへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-14-1 屋外伝送実験に向けた120 GHz帯ミリ波無線の開発(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- SC-7-9 InP/InGaAs HBTを用いた90GHzダイナミック分周器
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC
- B-6-50 InP HEMT 4x4スイッチのプロテクションスイッチへの応用(B-6.ネットワークシステム,一般講演)
- InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7 W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-6 ベースバンド並列帰還アンプの低電源電圧化法
- 超40Gb/s ICモジュール用実装プラットフォームの検討
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- X線リソグラフィーによる微小プローブの製作と耐久性評価について
- X線リソグラフィーによる微小プローブの製作と耐久性評価について
- 未来を拓く先端技術 100Gbit/s光通信用IC
- 2層構造WSiN電極によるGaAsショットキー接触の耐熱性の向上