C-14-8 光照射 HPT の低コレクタ電流時における f_T の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-10
著者
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
赤池 正巳
東京理科大学工学部電気工学科
-
上綱 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
手嶋 克智
東京理科大学
-
井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
赤池 正己
東京理科大学工学部電気工学科
-
赤池 正巳
東京理科大学工学部
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
関連論文
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- CS-2-3 超高速ギガビット無線LANの研究開発 : ミリ波セクタ切替えアンテナ用ラジアル給電構造の設計(CS-2.ミリ波無線システムの現状と課題,シンポジウム)
- ミリ波セクタ切替えアンテナ給電用ラジアル形構造の基礎検討
- ミリ波セクタ切替えアンテナ用給電構造の基礎検討
- ミリ波セクタ切替えアンテナ用給電構造の基礎検討(ミリ波技術/一般)
- C-2-33 GaAsモノリシック逆直列バラクタ対の試作及び非線形歪の測定(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-2 低ジッタ50Gbit/sダイナミック型識別回路(C-10.電子デバイス)
- C-10-4 ロック検出機能付き 39-45Gbit/s CDR 回路
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-10-8 InP HBT による 43Gbit/s CDR IC
- SC-7-6 InP HBTによる40Gbit/s CDR IC
- SC-7-5 InP/InGaAs HBT技術を用いた高感度・低消費電力43Gbit/s識別回路
- 40Gbit/sInP HBT IC実現のためのデバイス技術
- 40Gbit/s InP HBT IC実現のためのデバイス技術
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
- InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- C-2-113 Dual-Band超広帯域バンドパスフィルタ(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- B-1-244 背面給電共平面パッチアンテナ
- C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
- GaAs1チップ逆直列バラクタ対の3次混変調歪の測定と寄生インピーダンスの抽出(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAs 1チップ逆直列バラクタ対の3次混変調歪の測定と寄生インピーダンスの抽出(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAs 1チップ逆直列バラクタ対:非線形歪の測定とシミュレーション(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- SC-7-9 InP/InGaAs HBTを用いた90GHzダイナミック分周器
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- C-10-21 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- FET大信号解析における任意負荷の表現
- 大信号解析における負荷回路の解放/短絡の表現
- C-4-35 擬似位相整合ニオブ酸リチウム光導波路の縦続二次非線形光学効果を用いた任意波長変換器の帯域限界(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-14-8 光照射 HPT の低コレクタ電流時における f_T の検討
- 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- B-10-96 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(B-10. 光通信システムB(光通信))
- C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-3-16 光照射時のフォトダイオード(PD)の容量-電圧特性
- C-10-10 エミッタサイズ効果抑制に向けた薄層レッジ構造InP HBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- Beイオン注入によるUTC-PDとHBTのモノリシック集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-2 InP HBT を用いた 10Gbit/s RZ 変調器ドライバ
- C-3-15 光照射時のフォトダイオードの電流電圧特性
- 光照射時のフォトダイオードの電流電圧特性に関する一考察
- 光照射時のフォトダイオードの電流電圧特性に関する一考察
- 電圧置換法によるドレイン局発注入形FETミクサの非線形解析
- ミリ波セクタ切替えアンテナ用給電構造の基礎検討(ミリ波技術/一般)
- 逆直列接続ダイオード対の高次非線形歪の解析 : ショットキーバリアダイオード(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- 逆直列接続ダイオード対の高次非線形歪の解析 : ショットキーバリアダイオード(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- C-10-17 InP/InGaAs系HBTの高速・高信頼化に向けたTi/W電極構造の検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 実用化に向けた100Gbit/s級IC用InP HBTのエミッタ層設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高信頼InP-HBT集積回路製造技術 (特集 フォトニックネットワーク用デバイスの最新技術動向)
- アイドラー帰還形1/2分周器の動作解析
- マイクロ波半導体接合デバイスの非線形解析(マイクロ波論文(大学発))
- C-4-43 擬似位相整合縦続二次非線形光学効果を用いた全光超高速リタイミングスイッチ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長変換), エレクトロニクス1)
- C-4-17 疑似位相整合ニオブ酸リチウムデバイスの縦続二次非線形光学効果による全光パルス再生特性の数値解析(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(ファイバレーザ・短パルス光源), エレクトロニクス1)
- 周期分極反転ニオブ酸リチウムデバイスを用いた全光3R回路(次世代光ファイバ, 光計測, 光伝搬, 光信号処理, 一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 0.5-μm InP HBTによる低消費電力50-Gb/s D-FF(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- C-10-7 0.5μm InP HBTを用いた50Gbit/s差動出力リミッティングアンプIC(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-6 0.5-μm InP HBTによる60-GS/s超高速D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- C-10-6 エミッタ・ベース接合付近に高濃度n型ドープ薄層を有するO.5μmエミッタInP HBTの信頼性について(C-10.電子デバイス,一般セッション)