GaAs 1チップ逆直列バラクタ対の3次混変調歪の測定と寄生インピーダンスの抽出(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

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概要

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試作されたGaAs 1チップ直列バラクタについて、2.484GHz帯でその非線形性から発生する3次混変調歪(IM3)を測定した。その結果、GaAs 1チップ逆直列バラクタ対は単一バラクタの場合と比べて、3次混変調歪が約2.8dB抑圧された。しかし、理論結果を比較すると3次混変調歪が十分抑圧されたとは言えない。そこで、チップに存在する寄生インピーダンスの抽出を試みた。結果として、チップには直列に500[Ω]の寄生抵抗と並列に4[pF]の寄生容量が存在することがわかった。さらに、チップの不純物分布定数がγ=0.827であることを求めた。この値がチップの設計値である非線形歪の抑圧条件γ=0.5と異なっているために、3次混変調歪が十分抑圧されない原因だとわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-01-10

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