逆直列接続ダイオード対の高次非線形歪の解析 : ショットキーバリアダイオード(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
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概要
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本報告は、高周波回路では逆直列に、低周波バイアス回路では並列になるように接続されたダイオード対(簡単に逆直列接続ダイオード対と呼ぶことにする)らから発生する高周波の高次高調波歪の解析を行った。半導体ダイオードは等価回路が非線形抵抗と非線形容量の並列接続で表される。ダイオードを上記のように接続すると、高周波での抵抗(微分抵抗)と容量(微分容量)は、それぞれ、電圧の奇関数、偶関数になるので、発生する高次高調波歪のうち、非線形抵抗では奇数次の高調波歪を、非線形容量では偶数次の高調波歪を抑圧される。本報告は逆直列接続ダイオード対と単一のダイオードから発生する高周波高次高調波歪をダイオードの非線形モデルを用いて計算・比較を行った。逆直列接続により、単一のダイオードと比べて、奇数次および偶数次のどちらの高調波をも低減できることを示した
- 2003-11-11
著者
-
大平 孝
Atr適応コミュニケーション研究所
-
韓 青
ATR波動工学研究所
-
赤池 正巳
東京理科大学工学部電気工学科
-
稲垣 惠三
ATR Wave Engineering Laboratories
-
稲垣 恵三
Atr適応コミュニケーション研究所
-
大平 孝
Atr適応コミュニケーション研
-
赤池 正己
東京理科大学工学部電気工学科
-
韓 青
ATR適応コミュニケーション研究所
-
赤池 正巳
東京理科大学工学部
-
稲垣 惠三
Atr適応コミュニケーション研
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