InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
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概要
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InP HBT-ICの40Gb/s光通信システムヘの実用化を目指し、高信頼化技術の開発を行っている。高温定電流ストレスによる加速試験の結果、トランジスタ単体の電流利得の減少と識別器の出力レベルの低下が良い相関をもつことが示され、HBT-ICの高信頼化にはトランジスタの電流利得変動の抑制が必要であることを確認した。両劣化モードの活性化エネルギーは0.8evであり、劣化原因は表面再結合によると考えられるベース電流の増加であった。高信頼化に向けて、表面再結合電流の発生を抑制できるガードリング構造を開発し、単体について高温通電試験を行った。電流利得の初期劣化の抑制が確認でき、トランジスタの長寿命化を確認した。これにより、回路の高信頼化への見通しを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-05
著者
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
栗島 賢二
NTTフォトニクス研
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