極薄膜MOSFET/SIMOXのソース・ドレイン上に形成したW層の寄生バイポーラ効果への影響
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概要
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ソースおよびドレイン上に選択CVDプロセスによリW層を堆積したゲート長0.24μmの極薄膜NMOSFET/SIMOXを作製し、W層が寄生バイポーラ効果の抑制に対して及ぼす影響について調べた。寄生バイポーラ効果の低減には、W層の厚さおよび堆積温度は影響せず、ゲートスペーサ幅が最も影響する。スペーサ幅が0.2μm以下の場合、寄生バイポーラ効果の低減が顕著である。これは拡散現象によリボディ内のホールが引き抜かれたことによる。温度をパラメータとした測定をおこない、100℃においてもW層による寄生バイポーラ効果の抑制が有効であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 康博
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
土屋 敏章
NTT LSI研究所
-
佐藤 康博
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
石井 仁
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
大野 晃計
NTT LSI研究所
-
石井 仁
NTT LSI研究所
-
大野 晃計
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
佐藤 康博
NTT LSI研究所
-
小杉 敏彦
NTT LSI研究所
-
石井 仁
日本電信電話株式会社:豊橋技術科学大学
-
大野 晃計
Ntt Lsi研
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