塩島 謙次 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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末光 哲也
Ntt フォトニクス研
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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牧村 隆司
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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小杉 敏彦
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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杉谷 末広
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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重川 直輝
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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小野寺 清光
日本電信電話
著作論文
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG 構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- CS-9-6 GaN電子デバイスの開発動向、今後の展開、技術課題(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性とHEMT特性との相関(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの自己発熱評価
- SC-6-1 電子デバイス開発に向けたGaN結晶の評価