末光 哲也 | Ntt フォトニクス研
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概要
関連著者
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末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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末光 哲也
Ntt フォトニクス研
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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末光 哲也
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話
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重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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渡辺 和夫
NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTアドバンストテクノロジ
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末光 哲也
NTT フォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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山根 康郎
Nttフォトニクス研究所
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塩島 謙次
Ntt フォトニクス研究室
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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深井 佳乃
NTT フォトニクス研究所
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杉山 弘樹
NTT フォトニクス研究所
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渡辺 和夫
NTT フォトニクス研究所
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重川 直輝
NTTフォトニクス研
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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塩島 謙次
NTT LSI研究所
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重川 直輝
NTT先端技術総合研究所
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小椋 充将
京大工学研究科材料工学専攻
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重川 直輝
Ntt
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
NTT フォトニクス研究所
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榎木 孝知
NTT フォトニクス研究所
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山根 康郎
NTT フォトニクス研究所
著作論文
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス 周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 微小ショットキー電極を用いたGaN結晶の評価 : 低キャリアn-GaNの結晶欠陥とI-V特性との相関
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
- チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
- チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関