InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
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概要
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0.1μmゲートInP系HEMTについて高温通電試験による特性変動を調べ, ソース抵抗(R_s)とドレイン抵抗(R_d)にそれぞれ異なる変動がみられた。R_sについては, ドレイン電圧が低い場合には安定であるが, 1.5Vの電圧を印加し続けると増加がみられる。また, その増加はキャリア供給層としてInPやInAlPを用いることにより抑制されており, フッ素混入によるInAlAs中のSiドナー不活性化の影響を示唆している。一方R_dの増加はキャリア供給層材料によらず増加がみられる。またリセス領域の広がりに対する依存性をみると, R_sの増加がリセス領域が広いほど大きくなるのに対し, R_d増加はリセス領域を広げても大きな増加を示さず, 電界集中緩和によるホットキャリアの低減が広いリセス領域を持つFETにおけるR_d増加を抑えていると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-10
著者
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
渡辺 和夫
NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTアドバンストテクノロジ
-
末光 哲也
NTT フォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTT フォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
NTT フォトニクス研究所
-
渡辺 和夫
NTT フォトニクス研究所
-
末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
末光 哲也
Ntt フォトニクス研
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