成長中断時AsH_3後流し条件制御によるInGaP/GaAsヘテロ界面の高品質化
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概要
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InGaP/GaAsヘテロ界面のコンダクションバンドオフセット、ΔEc、および界面電荷密度、σ、の成長中断時のAsH_3カバー時間に対する依存性を調べた。AsH_3のカバー時間を短くする(0.05分)ことで高いΔEc(0.2eV)と低いσ(6.4×10^<10>cm^<-2>)が得られた。しかしAsH_3のカバー時間を50倍長くするとΔEcは殆ど0eVになり、σも一桁増加した。これらより、InGaP/GaAs界面の高品質化には界面を過剰のAsに晒さないことが重要であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
渡辺 和夫
NTTフォトニクス研究所
-
菅原 裕彦
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
日向 文明
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
渡辺 和夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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