ポリイミド埋込み3次元 Au 配線の安定性評価

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概要

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ポリイミド、WSiN、Au により構成された MMIC 用3次元 Au 配線の安定性について検討した。スルーホール・コンタクト部分での接触抵抗、ポリイミドのリーク電流、ポリイミドに埋込まれた Au 配線の抵抗、および上層にポリイミド層を有する GaAs MESFETの電気的特性について、コンタクト・チェーン素子の温度サイクル試験、隣接配線間への電圧印加による高温バイアス試験、ならびにポリイミドに埋込まれた Au 配線および MESFET への高温通電試験により各安定性を評価した。その結果、ポリイミドと配線金属との熱膨張率の違いに起因するコンタクト抵抗の増加、水分に起因するポリイミドのリーク電流の増加、およびポリイミドに埋込まれた構造に起因する配線、FET の新たな故障モードの発生はいずれも観測されず、本材料系の安定性が確認された。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-12-13

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