33%周波数可変5GHz帯Si 3次元MMIC VCO
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概要
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筆者らは, これまでGaAs基板に3次元配線プロセスを実施した3次元MMIC技術により回路の小型・高集積化を図るとともに, 短TATに有効なマスタスライス型MMICを提案・実証してきた。また, Si 3次元MMICでは, リアクティブ整合によりSiバイポーラトランジスタ(BJT)を高周波帯で適用可能となり, 一層の低コスト化が可能となる。今回, Si BJT (SST1C)を用いて非常に広いチューニング範囲を有する5 GHz帯MMIC VCOを実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
豊田 一彦
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
西川 健二郎
日本電信電話株式会社
-
平野 真
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
徳満 恒雄
NTT
-
山口 力
Ntt入出力システム研究所
-
徳満 恒雄
Nttワイヤレスシステム研究所
-
西川 健二郎
NTTワイヤレスシステム研究所
-
鴨川 健司
NTTドコモ株式会社
-
豊田 一彦
NTTワイヤレスシステム研究所
-
山口 カ
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
鴨川 健司
NTTワイヤレスシステム研究所
-
山口 力
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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