20 GHz帯Si3次元MMICミキサ
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概要
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従来のSiMMICはSi基板の導電性のために数GHzまでしか実現されていなかった. 著者らは, Si基板上に多層配線を形成し, これを用いて回路を構成するSi3次元MMICを提案し, SiMMICの高周波化とGaAs3次元MMICと同様の小型高集積化を実現してきた. 今回, 広帯域かつ30GHzまで動作するSi3次元MMICミキサを初めて実現し, Si3次元MMICでGaAsMMICに匹敵する高周波動作が可能であることを明らかにしたので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
豊田 一彦
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
西川 健二郎
日本電信電話株式会社
-
平野 真
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
徳満 恒雄
NTT
-
山口 力
Ntt入出力システム研究所
-
徳満 恒雄
Nttワイヤレスシステム研究所
-
西川 健二郎
NTTワイヤレスシステム研究所
-
豊田 一彦
NTTワイヤレスシステム研究所
-
山口 カ
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
山口 力
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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