K帯Siマスタスライス型3次元MMIC
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概要
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MMICの低コスト化のためにSiデバイスを用いたSiMMICの開発が活発に行われている.本報告ではSiMMICの高周波化に極めて有効なSiマスタスライス型3次元MMIC技術についてその特徴及び本技術を用いて実現したK帯SiMMICについて報告する.Siマスタスライス型3次元MMICは, Si基板上に形成する接地導体により, Si基板の持つ導電性の影響を受けない低損失な伝送線路を提供し, 高周波化に有効なリアクティブ整合を可能にする.本稿で述べるK帯増幅器及びミキサは0.5μmSiバイポーラトランジスタ(fmax=30GHz)を用いている.増幅器は16GHz-18GHzで利得7dB以上, ミキサは16.5GHz-23GHzで変換損失9dB以下である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-20
著者
-
豊田 一彦
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
-
西川 健二郎
日本電信電話株式会社
-
平野 真
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
徳満 恒雄
NTT
-
山口 力
Ntt入出力システム研究所
-
徳満 恒雄
Nttワイヤレスシステム研究所
-
西川 健二郎
NTTワイヤレスシステム研究所
-
鴨川 健司
NTTドコモ株式会社
-
豊田 一彦
NTTエレクトロニクステクノロジー
-
山口 カ
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
鴨川 健司
NTTワイヤレスシステム研究所
-
平野 真
NTTエレクトロニクス(株)
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