GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)

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概要

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• 2012-11-29

著者

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Ntt フォトニクス研

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