GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
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概要
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GaN弾性波デバイスの高周波化に向けて、高速伝搬モードを利用したデバイスについて検討する。サファイア基板上にエピタキシャル成長したGaN膜上に、基本素子となるSAWデバイスを試作し、周波数特性、分散特性など基本特性を評価した。IDTにより励振された波には、SAW以外に膜内をガイド的に高速伝搬する弾性波の存在が確認できた。このレイヤーモードの波は、SAWの波長や膜厚、結晶性などに依存することが実験結果より示された。したがって、これらのパラメータを設計することにより、レイヤーモードを利用したデバイスの高周波化の可能性を示すことができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-17
著者
-
宝川 幸司
神奈川工科大工学部
-
重川 直輝
NTTフォトニクス研
-
西村 一巳
NTTフォトニクス研
-
兼城 千波
神奈川工科大学工学部
-
兼城 千波
神奈川工科大・工
-
横田 学
神奈川工科大学工学部
-
和田 雅哉
神奈川工科大学工学部
-
宝川 幸司
神工大工学部
-
宝川 幸司
神奈川工科大学工学部
-
和田 雅哉
神奈川工科大・工
-
Hohkawa Kohji
Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology
-
西村 一巳
Nttフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
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