圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
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概要
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本報告では、エピタキシャルリフトオフ(Epitaxial Lift-Off;ELO)フィルムボンディングにより、圧電体/半導体結合素子の作製のためのプロセス技術についての検討結果について示す。圧電基板と貼り合わせた半導体薄膜の接合力を高めるために、様々な加熱処理を施し、X線回折およびX線トポグラフにより、加熱処理による薄膜の受ける応力について評価し、面内の応力分布を明らかにした。実験結果から、一様な応力分布を得るために、水の排出機構や低温加熱が効果的であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-29
著者
-
宝川 幸司
神奈川工科大工学部
-
中島 勉
神奈川工科大学
-
宮台 賢一郎
神奈川工科大学工学部
-
青木 裕介
ハイテクリサーチセンター
-
青木 裕介
神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
-
宮台 賢一郎
神奈川工科大学大学院
-
宝川 幸司
神工大工学部
-
青木 裕介
三重大学 大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
宝川 幸司
神奈川工科大学工学部
-
青木 裕介
神奈川工科大学 ハイテクリサーチセンター
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