P1-34 音響光学素子と半導体光素子の複合集積化に関する検討(ポスターセッション1,ポスター発表)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会の論文
- 2002-11-07
著者
-
青木 裕介
ハイテクリサーチセンター
-
青木 裕介
神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
-
黄 啓新
神工大工学部
-
兼城 千波
神奈川工科大・工
-
宝川 幸司
神工大工学部
-
岡本 悟
神奈川工科大・工
-
出口 太郎
神工大工
-
岡本 悟
神奈川工大 工学部
-
出口 太郎
神奈川工大 工学部
-
青木 裕介
神奈川工大 工学部
-
兼城 千波
神奈川工大 工学部
-
黄 啓新
神奈川工大 工学部
-
宝川 幸司
神奈川工大 工学部
-
青木 裕介
三重大学 大学院工学研究科電気電子工学専攻
-
青木 祐介
神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
-
Komine Kenji
Advanced Technology Research Laboratory Meidensha Corporation
関連論文
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- 表面プラズモン励起によるメロシアニン色素LB膜の散乱光
- 全YBaCuO積層型接合を用いたSQUIDゲート
- P2-17 半導体/圧電体結合素子のX線回折によるトポグラフィック評価(ポスターセッション2,ポスター発表)
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- P2-25 FIB加工端面をもつ構造物におけるSAWの反射特性 : 素子小型化の可能性(ポスターセッション2(概要講演))
- P2-24 フリップチップボンディングによる圧電基板への半導体素子の実装(ポスターセッション2(概要講演))
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 圧電体上の構造体を利用した機能デバイスに関する検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- Golay 符号を用いた広帯域弾性表面波素子に関する検討
- 埋め込み型リング共振器を用いた可変フィルタに関する検討
- 構造体中を伝搬する弾性波伝搬特性
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討
- 超音波デバイス フォトダイオードとSAWフィルタを複合した光機能素子
- P2-C-17 MEMS技術による機能センサの作製(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション2(概要講演))
- P2-C-16 フォトダイオードとSAWフィルターを複合した光機能素子(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション2(概要講演))
- P2-C-15 符号化電極を持つ超広帯域弾性表面波素子(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション2(概要講演))
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- P3-48 二次元周期構造体を有する弾性波機能素子に関する検討(ポスターセッション3,ポスター発表)
- P3-40 半導体結合SAW特性可変フィルタの設計(ポスターセッション3,ポスター発表)
- P1-34 音響光学素子と半導体光素子の複合集積化に関する検討(ポスターセッション1,ポスター発表)
- P3-39 マルチストリップ形半導体-SAWプログラマブルコリレータ(ポスターセッション3,ポスター発表)
- P3-38 半導体能動素子と複合集積化したSAW機能回路(ポスターセッション3,ポスター発表)
- PF06 ELOによる圧電基板上への半導体薄膜ボンディング技術について(ポスターセッションI)
- PF05 Si/圧電体構造を有するSAW機能素子の作製(ポスターセッションI)
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- 有機薄膜および複合膜の評価技術とデバイス応用の最近の進展
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- 半導体 : 弾性表面波結合素子の作製と応用
- 半導体 : 弾性表面波結合素子の作製と応用
- PC-6 エピタキシャルリフトオフ技術に基づく弾性表面波・半導体複合機能素子の作製技術
- C-2 AlGaAs/LiNbO_3構造をもつSAW素子の光応答特性
- AlGaAs/LiNbO_3構造SAW素子の光応答特性
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- Fabrication and Device Application of Surface Acoustic Wave (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- Photoresponse on Surface Acoustic Wave Devices with Compound Semiconductor and LiNbO3 Structures (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 圧電体上の構造体を利用した機能デバイスに関する検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 圧電体上の構造体を利用した機能デバイスに関する検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 2P3-8 対面張り合わせによるモード結合SAW素子に関する基礎検討(ポスターセッション)
- 2P3-7 AlGaN/GaN弾性波共振器に関する基礎検討(ポスターセッション)
- 1P5-9 埋め込み形電極構造を用いたAlGaN/GaN素子(ポスターセッション)
- 1P5-6 表面張り合わせによるSAW素子の基礎検討(ポスターセッション)
- 電荷転送効果によるGaN紫外線センサーに関する基礎検討
- 超音波デバイス cMUT作製のためのCr犠牲層エッチング技術
- 1-06P-40 AlGaN/GaNフィルム素子における可変特性(ポスターセッション 1)
- 1-06P-38 犠牲層プロセスによるSAW素子の局所的パッケージング(ポスターセッション 1)
- 1-05P-34 犠牲層エッチングによるCMUT作製技術に関する検討(ポスターセッション 1)
- 2軸方向磁場測定用ホール素子および磁場可視化システムの開発(その1)
- P2-10 SAW-Semiconductor UV Sensor Using GaN Film(Short oral presentation for posters)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PF6 SAW用水晶基板表面の微視的構造評価(ポスターセッション3)
- Langmuir-Blodgett超薄膜を用いたSAWセンサの感応特性
- Langmuir-Blodgett超薄膜を用いたSAWセンサの感応特性
- Langmuir-Blodgett超薄膜を用いたSAWセンサの感応特性
- ゾル-ゲル法による有機-無機ハイブリッド材料の低温作製と機能化
- 分析電子顕微鏡システム利用研究成果、そのXIV
- Fabrication of Si/LiNbO_3 Structure by Using Film Bonding Process
- PB1 ゴム系感応膜を用いた弾性波センサ(ポスターセッション1)
- 複合集積化プロセスの研究 (第3プロジェクト「複合インテリジェント集積素子の研究開発」) -- (平成12年度研究成果)
- TCNQ LB膜の作製と光・電気特性
- P2-28 サファイア基板上GaNのSAW特性(ポスターセッション2(概要講演))
- Programmable Surface Acoustic Wave-Semiconductor Correlator with Multi-Strip Structure
- X-Ray Analysis of Stress Distribution in Semiconductor Films Bonded to a Piezoelectric Substrate(Instrumentation, Measurement, and Fabrication Technology)
- Surface Acoustic Wave Functional Devices Coupled with Film-Bonded Semiconductor Active Elements
- Fabrication of Surface Acoustic Wave-Semiconductor Coupled Devices Using Epitaxial Lift-Off Technology
- Photoresponse on Surface Acoustic Wave Devices with Compound Semiconductor and LiNbO_3 Structures
- DC variable harmonic pass band operation of AlGaN/GaN surface acoustic wave devices
- 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討 (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- AlGaAs/LiNbO3構造SAW素子の光応答特性 (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- Langmuir-Blodgett超薄膜を用いたSAWセンサの感応特性 (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討 (特集:強誘電・圧電材料とその応用及び一般)
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- PF12 エピタキシャルリフトオフ技術を用いた半導体・弾性表面波複合素子(ポスターセッション3)
- 表面プラズモン励起による有機超薄膜からの光放射特性
- PF07 半導体結合SAWコンボルバに関するシミュレーション的考察(ポスターセッションI)
- Piezoelectric Sensors Using Rubber Sensing Film (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)
- Langmuir-Blodgett超薄膜を用いたSAWセンサの感応特性
- 表面プラズモン励起による有機超薄膜からの光放射特性
- 表面プラズモン励起による有機超薄膜からの光放射特性