Programmable Surface Acoustic Wave-Semiconductor Correlator with Multi-Strip Structure
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 2002-11-15
著者
-
黄 啓新
神工大工学部
-
宝川 幸司
神工大工学部
-
Nam S‐m
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Nam S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Aoki Yasushi
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Aoki Y
Department Of Materials Development Japan Atomic Energy Research Institute
-
Aoki Yuji
Superconductivity Research Laboratory Istec
-
Kaneshiro Chinami
Kanagawa Institute Of Technology
-
Aoki Y
Advanced Technology Research Center Kanagawa Institute Of Technology
-
KOH Keishin
Advanced Technology Research Center, Kanagawa Institute of Technology
-
AOKI Yusuke
Advanced Technology Research Center, Kanagawa Institute of Technology
-
HOHKAWA Kohji
Advanced Technology Research Center, Kanagawa Institute of Technology
-
NAM Song-Min
Advanced Technology Research Center, Kanagawa Institute of Technology
-
KANESHIRO Chinami
Advanced Technology Research Center, Kanagawa Institute of Technology
-
Kaneshiro C
Kanagawa Institute Of Technology
-
Komine Kenji
Advanced Technology Research Laboratory Meidensha Corporation
関連論文
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- 全YBaCuO積層型接合を用いたSQUIDゲート
- P2-17 半導体/圧電体結合素子のX線回折によるトポグラフィック評価(ポスターセッション2,ポスター発表)
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- P2-25 FIB加工端面をもつ構造物におけるSAWの反射特性 : 素子小型化の可能性(ポスターセッション2(概要講演))
- P2-24 フリップチップボンディングによる圧電基板への半導体素子の実装(ポスターセッション2(概要講演))
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 圧電体上の構造体を利用した機能デバイスに関する検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- Golay 符号を用いた広帯域弾性表面波素子に関する検討
- 埋め込み型リング共振器を用いた可変フィルタに関する検討
- 構造体中を伝搬する弾性波伝搬特性
- 超音波デバイス フォトダイオードとSAWフィルタを複合した光機能素子
- P2-C-17 MEMS技術による機能センサの作製(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション2(概要講演))
- P2-C-16 フォトダイオードとSAWフィルターを複合した光機能素子(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション2(概要講演))
- P2-C-15 符号化電極を持つ超広帯域弾性表面波素子(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション2(概要講演))
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- P3-48 二次元周期構造体を有する弾性波機能素子に関する検討(ポスターセッション3,ポスター発表)
- P3-40 半導体結合SAW特性可変フィルタの設計(ポスターセッション3,ポスター発表)
- P1-34 音響光学素子と半導体光素子の複合集積化に関する検討(ポスターセッション1,ポスター発表)
- P3-39 マルチストリップ形半導体-SAWプログラマブルコリレータ(ポスターセッション3,ポスター発表)
- P3-38 半導体能動素子と複合集積化したSAW機能回路(ポスターセッション3,ポスター発表)
- PF06 ELOによる圧電基板上への半導体薄膜ボンディング技術について(ポスターセッションI)
- PF05 Si/圧電体構造を有するSAW機能素子の作製(ポスターセッションI)
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- US2000-29 / EMD2000-25 / CPM2000-40 / OME2000-35 弾性表面波/半導体結合デバイスの基礎的検討
- 半導体 : 弾性表面波結合素子の作製と応用
- 半導体 : 弾性表面波結合素子の作製と応用
- PC-6 エピタキシャルリフトオフ技術に基づく弾性表面波・半導体複合機能素子の作製技術
- C-2 AlGaAs/LiNbO_3構造をもつSAW素子の光応答特性
- AlGaAs/LiNbO_3構造SAW素子の光応答特性
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- 圧電基板上の半導体フィルムボンディング膜のX線による観測
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 圧電体上の構造体を利用した機能デバイスに関する検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 圧電体上の構造体を利用した機能デバイスに関する検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 2P3-8 対面張り合わせによるモード結合SAW素子に関する基礎検討(ポスターセッション)
- 2P3-7 AlGaN/GaN弾性波共振器に関する基礎検討(ポスターセッション)
- 1P5-9 埋め込み形電極構造を用いたAlGaN/GaN素子(ポスターセッション)
- 1P5-6 表面張り合わせによるSAW素子の基礎検討(ポスターセッション)
- 電荷転送効果によるGaN紫外線センサーに関する基礎検討
- 超音波デバイス cMUT作製のためのCr犠牲層エッチング技術
- 1-06P-40 AlGaN/GaNフィルム素子における可変特性(ポスターセッション 1)
- 1-06P-38 犠牲層プロセスによるSAW素子の局所的パッケージング(ポスターセッション 1)
- 1-05P-34 犠牲層エッチングによるCMUT作製技術に関する検討(ポスターセッション 1)
- 2軸方向磁場測定用ホール素子および磁場可視化システムの開発(その1)
- P2-10 SAW-Semiconductor UV Sensor Using GaN Film(Short oral presentation for posters)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PF6 SAW用水晶基板表面の微視的構造評価(ポスターセッション3)
- 24-O-03 Aerosol Deposition Process for Low Temperature Fabrication of RF-Modules
- Improvement of Quality and Electrical Properties of Sputtered Pb(Zr, Ti)O_3 Films by Wet-Oxidation Process
- 分析電子顕微鏡システム利用研究成果、そのXIV
- High frequency dielectric mapping using un-contact probe for dielectric materials
- Generation of Interface Traps and Oxide-Trapped Charge in 6H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Transistors by Gamma-Ray Irradiation
- Annealing Properties of Defects in Ion-Implanted 3C-SiC Studied Using Monoenergetic Positron Beams
- Defects in Ion-Implanted 3C-SiC Probed by a Monoenergetic Positron Beam
- Fabrication of Si/LiNbO_3 Structure by Using Film Bonding Process
- One-Dimensional Propagation of Fluctuation in Magnetohydrodynamic Channels
- Diagnostics of Plasma Performance in Magnetohydrodynamics Generators
- PB1 ゴム系感応膜を用いた弾性波センサ(ポスターセッション1)
- Investigation of Vacancy-Type Defects in P^+-Implanted 6H-SiC Using Monoenergetic Positron Beams
- Grown-in Microdefects in a Slowly Grown Czochralski Silicon Crystal Observed by Synchrotron Radiation Topography
- Mierodefects in an As-Grown Czoehralski Silicon Crystal Studied by Synchrotron Radiation Section Topography with Aid of Computer Simulation
- Observation of Microdefects in As-Grown Czochralski Silicon Crystals by Synchrotron Radiation Topography
- P2-28 サファイア基板上GaNのSAW特性(ポスターセッション2(概要講演))
- Analysis of Misoriented Crystal Structure by Ion Channeling Observed Using Ion-Induced Secondary Electrons
- Study of Semiconductor Film Bonding Technology on Piezoelectric Substrate Using Water Glass
- Programmable Surface Acoustic Wave-Semiconductor Correlator with Multi-Strip Structure
- X-Ray Analysis of Stress Distribution in Semiconductor Films Bonded to a Piezoelectric Substrate(Instrumentation, Measurement, and Fabrication Technology)
- Surface Acoustic Wave Functional Devices Coupled with Film-Bonded Semiconductor Active Elements
- Evaluation of Numerical Aperture and Focusing Characteristics of Planar Microlens for Optical Interconnects : Optics and Quantum Electronics
- Simulation Study of Semicondcutor Coupled Surface Acoustic Wave Convolver through a Multi-Strip Electrodes
- Bonding Technology of Semiconductor Film on Piezoelectric Substrate Using Epitaxial Lift-Off Technology
- Fabrication of Surface Acoustic Wave-Semiconductor Coupled Devices Using Epitaxial Lift-Off Technology
- Photoresponse on Surface Acoustic Wave Devices with Compound Semiconductor and LiNbO_3 Structures
- Preparation and Dielectric Properties of SrZrO_3/SrTiO_3 Superlattices
- DC variable harmonic pass band operation of AlGaN/GaN surface acoustic wave devices
- Domain Switching Kinetics of Lead Zirconate Titinate Thin Films
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 二次元周期構造体中における表面弾性波の伝搬特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- PF12 エピタキシャルリフトオフ技術を用いた半導体・弾性表面波複合素子(ポスターセッション3)
- PF07 半導体結合SAWコンボルバに関するシミュレーション的考察(ポスターセッションI)
- Piezoelectric Sensors Using Rubber Sensing Film (学外発表論文) -- (第3プロジェクト〔複合インテリジェント集積素子の研究開発〕関係)