Generation of Interface Traps and Oxide-Trapped Charge in 6H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Transistors by Gamma-Ray Irradiation
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1998-08-15
著者
-
伊藤 晴雄
千葉工業大学
-
ITOH Hisayoshi
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Ohdaira Toshiyuki
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
-
Ohdaira Toshiyuki
Department Of Nuclear Engineering Kyoto University
-
Itoh H
Japan Atomic Energy Research Institute Takasaki Radiation Chemistry Research Establishment
-
Itoh Hisayoshi
Japan Atomic Energy Agency
-
Yoshikawa M
Department Of Electronics University Of Osaka Prefecture
-
OHSHIMA Takeshi
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Aoki Yasushi
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Aoki Y
Department Of Materials Development Japan Atomic Energy Research Institute
-
Aoki Yuji
Superconductivity Research Laboratory Istec
-
YOSHIKAWA Masahito
Japan Atomic Energy Research Institute, Takasaki Radiation Chemistry Research Establishment
-
NASHIYAMA Isamu
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Ohshima Takeshi
Japan Atomic Energy Research Institute (jaeri)
-
Ohdaira Toshiyuki
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
-
Yoshikawa Masaaki
Imra Material R & D Co Ltd.
-
Yoshikawa Masahito
Japan Atomic Energy Research Institute (jaeri)
-
Yoshikawa Masahito
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Aoki Y
Advanced Technology Research Center Kanagawa Institute Of Technology
-
Yoshikawa M
Choshu Ind. Co. Ltd. Yamaguchi Jpn
-
Ohgaki Takeshi
National Inst. For Materials Sci.
-
Ohshima T
Japan Atomic Energy Res. Inst. Takasaki Jpn
-
Nashiyama I
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Ohgaki T
National Institute For Materials Science (nims)
-
Ohshima Takeshi
Japan Atomic Energy Agency
-
Ito Hisayoshi
Japan Atomic Energy Research Institute
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