Annealing Properties of Defects in Ion-Implanted 3C-SiC Studied Using Monoenergetic Positron Beams
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1997-11-15
著者
-
伊藤 晴雄
千葉工業大学
-
ITOH Hisayoshi
Japan Atomic Energy Research Institute
-
SUZUKI Ryoichi
Electrotechnical Laboratory
-
MIKADO Tomohisa
Electrotechnical Laboratory
-
TANIGAWA Shoichiro
Institute of Materials Science, The University of Tsukuba
-
UEDONO Akira
Institute of Materials Science, University of Tsukuba
-
Ohdaira Toshiyuki
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
-
Ohdaira Toshiyuki
Department Of Nuclear Engineering Kyoto University
-
Itoh H
Japan Atomic Energy Research Institute Takasaki Radiation Chemistry Research Establishment
-
Itoh Hisayoshi
Japan Atomic Energy Agency
-
Uedono A
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
-
Uedono Akira
Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba
-
OHSHIMA Takeshi
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Aoki Yasushi
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Aoki Y
Department Of Materials Development Japan Atomic Energy Research Institute
-
Suzuki R
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
-
Aoki Yuji
Superconductivity Research Laboratory Istec
-
OKUMURA Hajime
Electrotechnical Laboratory (ETL)
-
Suzuki Ryoichi
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
-
Okumura H
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Power Electronics Research Center
-
Okumura H
Electrotechnical Lab. Ibaraki Jpn
-
Okumura Hajime
Electrotechnical Laboratory
-
MIKADO Tomohisa
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
-
YOSHIKAWA Masahito
Japan Atomic Energy Research Institute, Takasaki Radiation Chemistry Research Establishment
-
NASHIYAMA Isamu
Japan Atomic Energy Research Institute
-
OHDAIRA Toshiyuki
Electrotechnical Laboratory
-
YOSHIDA Sadafumi
Electrotechnical Laboratory
-
Mikado Tomohisa
Photonics Research Institute National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
-
Ohshima Takeshi
Japan Atomic Energy Research Institute (jaeri)
-
Ohdaira Toshiyuki
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
-
Tanigawa Shoichiro
Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba
-
Yoshida Sadafumi
Division Of Mathematics Electronics And Informatics Graduate School Of Science And Engineering Saita
-
Moriya Tsuyoshi
Institute Of Material Science University Of Tsukuba
-
Yoshikawa Masahito
Japan Atomic Energy Research Institute (jaeri)
-
Yoshikawa Masahito
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Aoki Y
Advanced Technology Research Center Kanagawa Institute Of Technology
-
TOYAMA Masaharu
Toshiba Research and Development Center
-
Okunuma H
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
-
Ohgaki Takeshi
National Inst. For Materials Sci.
-
Tanigawa S
Institute Of Applied Physics University Of Tsukuba
-
Ohshima T
Japan Atomic Energy Res. Inst. Takasaki Jpn
-
Nashiyama I
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Mikado T
Electrotechnical Laboratory
-
Ohgaki T
National Institute For Materials Science (nims)
-
Mikado Tomohisa
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
Ohshima Takeshi
Japan Atomic Energy Agency
-
Uedono Akira
Institute of Applied Physics and Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba 305-8573, Japan
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