InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
従来、HEMTのキャリア供給層材料にはInAlAsが用いられている.InAlAsをキャリア供給層に用いたHEMTをアニールし熱安定性を評価した結果,移動度が600℃以上の熱処理により低下することが分かった.SIMS分析結果からこの移動度低下はデルタドーピングされたSiが熱拡散することにより起きていることが判明した.また,Siの熱拡散を抑制する材料としてIn(Al)Pを提案,その拡散定数がInAlAsと比較して約二桁小さいことを明らかにした.さらに,In(Al)Pをキャリア供給層に応用したHEMT構造を作製,as-grownの移動度の向上,および,アニールによる移動度の変動抑制によりSiの熱拡散抑制の効果を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-04
著者
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
小田 康裕
NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
Nttフォトニクス研
関連論文
- スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ : 120GHz帯広帯域無線の実用化へ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価
- CBE成長および熱処理GaAs表面のSTM観察
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 高V/III比成長によるInP/InAlAsヘテロ界面急峻性の向上 : 気相成長II
- MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- C-2-26 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-12-21 Low-Power, Low-Latency ,4x4 Optical Packet Switching of Asynchronous Optical Packets with a 4x4 Label Processing and Switching Sub-System
- 共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ : テラヘルツ発振器
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- C-10-5 GaN系HEMT用エピでの光照射による電流コラプスの回復と励起波長との関係(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(III族窒化物研究の最前線)
- サブミリアンペア動作超高速InP/InGaAs HBT
- InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(III族窒化物研究の最前線)
- GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(III族窒化物研究の最前線)
- 高精度半導体結晶成長制御技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現 (特集 NTT R&Dのオープンイノベーションをリードする大学連携)
- C-3-36 差動型光クロックトランジスタアレイを用いたパラレルシリアル変換回路(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池
- グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 加工微傾斜基板による周期的多段原子ステップ構造の形成とその応用
- 加工微傾斜基板による周期的多段原始ステップ構造の形成とその応用
- C-2-98 140GHz帯ミリ波イメージング装置の冬季屋外試験(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置,一般セッション)
- 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムヘ向けて (電子デバイス)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (マイクロ波)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (電子デバイス)
- MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムへ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムへ向けて
- 21pFB-4 Rashba場反転によるメゾスコピック系時間反転量子干渉振動一致度の定量的評価(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXL-5 ビリヤード・シミュレーションを用いたメゾスコピックループアレイにおけるスピン軌道相互作用係数とカットオフ長の決定(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- C-10-8 F帯フルカバースペクトル分析に向けたMMICミキサ回路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 27aAU-5 アンドレーエフ反射を用いたInGaAs量子ポイントコンタクトにおけるスピン偏極効果の検証(27aAU 量子細線・量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pAW-2 InGaAs/InAlAsダブルヘテロ量子井戸基板上のメゾスコピックループアレイにおける量子補正項の定量的解析(27pAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))