Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価
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概要
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非破壊ウエハ評価法としての有効性を検討するために、フォトリフレクタンス法により、InAlAs/InGaAs量子井戸構造およびHEMT構造の評価を行った。量子井戸構造においては、量子準位間のバンド間遷移エネルギーを明瞭に観察し、マッピング測定によって、ウエハ面内での井戸層のずれを室温においても高い感度で検出可能であることを示した。HEMT構造については、スペクトル形状とシートキャリア濃度(N_s)の関係について調べ、PR法の有効性を検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-22
著者
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
小林 隆
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
和田 一実
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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