MOVPE法炭素ドープGaAs成長における不活性炭素の混入 : 気相成長III
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本結晶成長学会の論文
- 1994-07-05
著者
関連論文
- Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価
- MOVPE 法 GaAs の炭素ドーピングに対するキャリアガス流量の影響 : エピタキシー I
- 1a-N-1パターン基板上にMBE成長されたGaAs量子細線の光学特性
- 1p-T-5 電子励起下におけるGaAs中の炭素・水素結合の不安定化
- 少数キャリア注入による GaAs ダイオードの水素誘起劣化
- CZシリコン中の酸素の挙動 : 融液成長と蒸着膜
- MOVPE法炭素ドープGaAs成長における不活性炭素の混入 : 気相成長III
- 27pC11 MOVPE成長GaAsの炭素濃度制御(気相成長IV)
- 有限要素法によるLE-VB法結晶成長界面の解析
- LE-VB法GaAs単結晶成長に及ぼす融液組成の影響
- LE-VB法B_2O_3の融液被覆効果
- 少数キャリア注入処理によるIII-V族化合物半導体の損傷消去の促進
- 1p-TE-4 積層欠陥の成長からみたシリコン中の点欠陥の拡散
- 28a-D-12 再結合促進による不純物の異常拡散
- 半導体量子微細構造制御の基本的限界
- 結晶工学
- 液晶工学
- 結晶工学
- 量子マイクロ構造制御の基本的限界 (半導体プロセス・材料・評価)
- 4p-E-3 カソードルミネセンス法による超格子界面の研究