和田 一実 | NTT LSI研究所
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概要
関連著者
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和田 一実
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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和田 一実
NTT LSI研究所
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香田 拡樹
NTT LSI研究所
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植松 真司
NTT LSI研究所
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中村 有水
マックスプランク固体物理研究所
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横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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小柴 俊
香川大工
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横山 春喜
NTT LSI研究所
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和田 一実
東京大学大学院
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染谷 隆夫
東大生産研
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榊 裕之
東大先端研
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小柴 俊
新技術事業団
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野毛 宏
新技術事業団
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中村 有水
新技術事業団
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清水 明
東大先端研
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秋山 英文
東大先端研
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染谷 隆夫
東大先端研
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中西 秀男
Ntt Lsi研究所
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伏見 浩
新日本無線(株)
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伏見 浩
NTT LSI 研究所
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清水 明
東大先端研:東大生産研:東大教養
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山田 孝二
Ntt Lsi研究所
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小柴 俊
香川大学工学部
著作論文
- MOVPE 法 GaAs の炭素ドーピングに対するキャリアガス流量の影響 : エピタキシー I
- 1a-N-1パターン基板上にMBE成長されたGaAs量子細線の光学特性
- 少数キャリア注入による GaAs ダイオードの水素誘起劣化
- MOVPE法炭素ドープGaAs成長における不活性炭素の混入 : 気相成長III
- 27pC11 MOVPE成長GaAsの炭素濃度制御(気相成長IV)
- 少数キャリア注入処理によるIII-V族化合物半導体の損傷消去の促進
- 1p-TE-4 積層欠陥の成長からみたシリコン中の点欠陥の拡散
- 28a-D-12 再結合促進による不純物の異常拡散
- 半導体量子微細構造制御の基本的限界
- 結晶工学
- 液晶工学
- 結晶工学
- 量子マイクロ構造制御の基本的限界 (半導体プロセス・材料・評価)
- 4p-E-3 カソードルミネセンス法による超格子界面の研究