横山 春喜 | NTT LSI研究所

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著作論文

• MOVPE 法 GaAs の炭素ドーピングに対するキャリアガス流量の影響 : エピタキシー I
• CBr_4を用いた炭素ドープInGaAs結晶の成長 : 半導体液相成長II
• MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響
• MOCVD成長GaAs、AlAsの表面ステップ形状
• MOCVD,MBE,CBE成長GaAsの表面平坦性のAFMによる評価
• MOVPE法による界面平坦性、急峻性の制御とそれらの光学的・電気的特性への影響

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