杉浦 英雄 | NTT光エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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杉浦 英雄
NTT光エレクトロニクス研究所
-
小笠原 松幸
NTT光エレクトロニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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大橋 弘美
Ntt光エレクトロニクス研究所
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満原 学
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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満原 学
NTT光エレクトロニクス研究所
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関 俊司
NTT光エレクト ロニクス研究所
-
杉浦 英雄
NTTフォトニクス研究所
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関 俊司
NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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大坂 次郎
Nttフォトニクス研究所
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大坂 次郎
Ntt Lsi 研究所
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山田 省二
北陸先端大ナノセ
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横山 春喜
NTT LSI研究所
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井上 直久
NTT LSI研究所
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活田 健治
NTT LSI研究所
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堀 秀信
北陸先端大
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横山 清行
Ntt光エレクトロニクス研究所
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吉本 直人
Ntt光エレクトロニクス研究所
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吉本 直人
Nttフォトニクス研究所
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伊賀 龍三
NTTフォトニクス研究所
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岡安 雅信
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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鈴木 安弘
NTTフォトニクス研究所
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岡安 雅信
NTTフォトニクス研究所
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笠谷 和生
NTTフォトニクス研究所
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廣野 卓夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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井上 直久
大阪府大
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清水 克則
北陸先端大材料
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瀾原 学
Nttフォトニクス研究所
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廣野 卓夫
NTT光エレクトロニクス研究所
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井上 直久
Ntt Lsi研
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杉浦 英雄
Ntt光エレ研
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小笠原 松幸
Nttフォトニクス研究所フォトニクスデバイス研究部
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清水 克則
北陸先端大
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大石 護
NTTフォトニクス研究所
著作論文
- MOCVD,MBE,CBE成長GaAsの表面平坦性のAFMによる評価
- Be(CH_3C_5H_4)_2を用いだMOMBE成長によるInPへのベリリウムドーピング
- 歪補償 InAsP-MQW の MOMBE 成長と臨界膜厚の解析
- MOMBE成長によるInGaAs-歪MQWを用いた2μm帯レーザ
- 1.3μm帯InP系歪み量子井戸LDの温度特性の支配要因
- B-10-111 半導体光増幅器(SOA)を用いたWDM光アクセス方式用トランシーバ
- 3a-X-14 歪みInAsP中2次元ホールガスの有効質量
- 高温動作用InP系圧縮歪MQWレーザ