高温動作用InP系圧縮歪MQWレーザ
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概要
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広い温度範囲で良好な特性を示す1.3μm帯の半導体レーザは光加入者用、インターコネクション用に最近活発に開発が進められている。長波長帯の温度特性支配要因として、非発光再結合の影響や光利得の温度依存性が考えられる。温度特性改善のための設計にあたってはこれらの影響を分離して検討していくことが必要だと考えられる。そこで我々はまず、圧縮歪MQWレーザを用いて、光利得を多くとるための電子の閉じこめに着目した。基本的には、量子井戸層における電子の閉じこめの様子を表すパラメータとして、電子の擬フェルミレベルに着目し、このフェルミレベルを出来るだけ下げる構造を理論的、実験的に調べ、井戸数の増加が温度特性の改善に効果があることを示してきた。ここでは、さらに温度特性の改善を目的として、圧縮歪MQWレーザの量子井戸層中のキャリアの閉じ込めと温度特性との関連について検討したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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