Be(CH_3C_5H_4)_2を用いだMOMBE成長によるInPへのベリリウムドーピング
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概要
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MOMBE法において、ビスメチルシクロペンタジエニルベリリウム[(MeOp)Be]を用いたp型InPの成長を行い、ホール濃度と(MeCp)2Beビーム強度の関係、InP中におけるBeの活性化率、炭素と酸素の混入、および拡散について調べた。ホール濃度は、(MeCp)2Beのビーム強度に比例して増加した。その制御範囲は、10^<17>-10^<18>cm^<-3>である。ポーラロン測定によるキャリア濃度とSMSによるBe濃度は一致しており、InP中のBeの活性化率はほぼ1である。Be濃度約1x10^<18>cm^<-3>のInP中での炭素濃度は3x10^<17>cm^<-3>以下であり、酸素濃度は検出限界以下である。Be濃度プロファイルは、620℃、20分間のアニール後もほとんど変化しなかった。
- 1995-11-21
著者
-
杉浦 英雄
NTT光エレクトロニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
満原 学
NTT光エレクトロニクス研究所
-
小笠原 松幸
NTT光エレクトロニクス研究所
-
満原 学
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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